光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
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摘要
本发明涉及一种光电子半导体芯片(1)，其包括：半导体本体(10)、第一接触部位(11)和第二接触部位(12)、重新布线结构(20)以及第一连接部位(21)和第二连接部位(22)，其中所述半导体本体(10)具有多个发射区域(100)，所述发射区域在横向上并排设置，并且所述发射区域能够分别经由所述第一接触部位(11)和所述第二接触部位(12)导电接触并且彼此独立地运行；所述重新布线结构(20)使每个第一接触部位(11)与相关联的第一连接部位(21)导电连接；所述重新布线结构(20)使每个第二接触部位(12)与相关联的第二连接部位(22)导电连接；所述连接部位(21，22)中的至少一个与同该连接部位(21，22)导电连接的接触部位(11，12)在竖直方向上不重叠；多个第二接触部位(12)与共同的第二连接部位(22)导电连接；每个第一连接部位(21)在横向上与另一第一连接部位(21)紧邻地设置。
基本信息
专利标题 ：
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109478583A
申请号 ：
CN201780043651.0
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-07-12
授权号 ：
CN109478583B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
多米尼克·斯科尔茨亚历山大·F·普福伊费尔
申请人 ：
欧司朗光电半导体有限公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁永凡
优先权 ：
CN201780043651.0
主分类号 ：
H01L33/08
IPC分类号 ：
H01L33/08 H01L33/62 H01L27/15 H01L33/38
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/08
申请日 : 20170712
申请日 : 20170712
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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