用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
实质审查的生效
摘要
在一个实施方式中，方法用于制造光电子半导体芯片(1)并且包括：A)在生长衬底(2)上沿着生长方向(G)生长AlInGaAsP半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)包括用于产生辐射的有源区(33)，并且有源区(33)由多个、彼此交替的量子阱层(61)和势垒层(62)组成；B)产生结构化的掩模层(5、34)；C)在至少一个混匀区域(51)中借助于将混匀辅助材料(55)穿过掩模层(5、34)的开口(50)施加到有源区(33)中来局部地混匀量子阱层(61)和势垒层(62)；并且D)将半导体层序列(3)分割成用于半导体芯片(1)的子区域(39)，其中势垒层(62)在步骤A)中由[(AlxGa1‑x)yIn1‑y]zP1‑z生长，其中x≥0.5。
基本信息
专利标题 ：
用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521295A
申请号 ：
CN202080069301.3
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
费利克斯·费克斯伊内斯·皮聪卡彼得鲁斯·松德格伦
申请人 ：
欧司朗光电半导体有限公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
支娜
优先权 ：
CN202080069301.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/30
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20200925
申请日 : 20200925
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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