用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
公开
摘要
说明了一种用于制造光电子半导体器件（1）的方法，具有以下步骤：A）提供布置在载体（50）上的多个半导体芯片（10），B）在所述半导体芯片（10）的背离所述载体（50）的侧上布置辅助载体（60），C）去除所述载体（50），D）将所述半导体芯片（10）之间的所述辅助载体（60）分离成辅助载体芯片单元（2），每个辅助载体芯片单元具有至少一个半导体芯片（10）和与所述半导体芯片邻接的辅助载体部分（61），E）将所述辅助载体芯片单元（2）分别布置在连接载体（30）上，以及F）从每个辅助载体芯片单元（2）去除各自的辅助载体部分（61）。还说明了一种光电子半导体器件（1）。
基本信息
专利标题 ：
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586183A
申请号 ：
CN202080076102.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
I·唐林G·林德伯格V·格林格S·霍普曼
申请人 ：
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张涛
优先权 ：
CN202080076102.5
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/38 H01L33/50 H01L33/62
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
