光电子半导体器件
公开
摘要
在至少一个实施方式中，光电子半导体器件(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有掺杂的第一层(20)、掺杂的第二层(21)、在第一层和第二层之间的用于借助于电致发光产生辐射的有源区(22)和侧面(25)，所述侧面横向于有源区延伸并且对半导体层序列沿横向方向限界。此外，半导体器件包括：两个电极(30、31)，用于第一层和第二层的电接触；和在侧面处在第一层的区域中的覆盖层(4)。覆盖层与第一层直接接触。覆盖层在此由如下材料构成，即仅覆盖层在其与第一层直接接触时引起在第一层中构成耗尽区(24)，其中耗尽区具有与第一层的其余部分相比更小的多数载流子浓度。
基本信息
专利标题 ：
光电子半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631196A
申请号 ：
CN202080076148.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克尔·宾德安德烈亚斯·吕克尔罗兰德·蔡塞尔托比亚斯·迈耶克斯廷·内韦林克里斯蒂娜·拉斐尔莫塞·黎克特赖纳·哈特曼克莱门斯·菲尔海利希
申请人 ：
欧司朗光电半导体有限公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
支娜
优先权 ：
CN202080076148.7
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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