半导体器件
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
含非晶Pin或nip型半导体器件，其中至少一界面层是由电阻率高于邻接界面层半导体的半导体或绝缘体制成。该界面层在半导体层间或在半导体和电极间；在P/i或n/i结界面处P型或n型层中掺杂量很小，在趋向于P/电极结界面或n/电极结界面方向上逐渐上升；或有较高杂质密度P型半导体层和/或有较高杂质密度的n型半导体层是在P型半导体层和P型半导体层同侧电极间，和/或在n型半导体层和n型半导体层同侧电极间。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86106353A
申请号 ：
CN86106353.8
公开（公告）日 ：
1987-12-02
申请日 ：
1986-11-05
授权号 ：
CN1036817C
授权日 ：
1997-12-24
发明人 ：
山岸英雄近藤正隆西村国夫广江昭彦浅冈圭三津下和永太和田善久山口美则
申请人 ：
钟渊化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
赵越
优先权 ：
CN86106353.8
主分类号 ：
H01L31/04
IPC分类号 ：
H01L31/04 H01L25/02
相关图片
法律状态
2002-06-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1997-12-24 ：
授权
1990-11-14 ：
驳回申请决定
1989-02-15 ：
实质审查请求
1987-12-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1036817C.PDF
PDF下载
2、
CN86106353A.PDF
PDF下载
