半导体器件
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
具有npn和pnp晶体管的一半导体器件，其特征在于一半导体衬底上所形成的一n型外延层上形成npn晶体管，以及在n型外延层上所形成的-n型半导体区域内形成pnp晶体管，n型半导体区域具有一高于n型外延层的杂质浓度。即使n型外延层的厚度被减小，仍可以防止pnp晶体管的穿通现象，因此得到一高速半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108134A
申请号 ：
CN85108134.7
公开（公告）日 ：
1986-07-02
申请日 ：
1985-11-02
授权号 ：
CN1004845B
授权日 ：
1989-07-19
发明人 ：
植木善夫
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京都品川区北品川6丁目7番35号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85108134.7
主分类号 ：
H01L29/70
IPC分类号 ：
H01L29/70 H01L27/06
法律状态
2001-06-27 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-04-04 ：
授权
1989-07-19 ：
审定
1986-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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