用于制造光电子半导体器件的方法
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摘要
方法设计用于制造光电子半导体器件并且包括如下步骤：A)提供芯片载体(2)，所述芯片载体在载体上侧(20)上具有电导体结构(22)，B)将至少一个半导体芯片(3)安置在电导体结构(22)中的至少一个上，所述半导体芯片设计用于产生光，C)将至少一个密封结构(4)施加到电导体结构(22)中的至少一个上，使得密封结构(4)在俯视图中看环形地完全包围至少一个接触区域(24)，D)直接在至少一个半导体芯片(3)上和直接在至少一个密封结构(4)上借助于注塑成型或压注成型产生灌封体(5)，其中至少一个密封结构(4)在喷射模具(61，62)中将至少一个接触区域(24)相对于灌封体(5)的材料密封，使得至少一个接触区域(24)保持没有灌封体(5)。
基本信息
专利标题 ：
用于制造光电子半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110462854A
申请号 ：
CN201880020782.1
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2018-03-19
授权号 ：
CN110462854B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
托比亚斯·格比尔马库斯·布格尔马库斯·博斯马库斯·平德尔
申请人 ：
欧司朗光电半导体有限公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁永凡
优先权 ：
CN201880020782.1
主分类号 ：
H01L33/54
IPC分类号 ：
H01L33/54 H01L25/075 H01L33/62
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/54
申请日 : 20180319
申请日 : 20180319
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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