提出了一种光电子器件(1)，其包括至少一个第一半导体发射器(10)和至少一个第二半导体发射器(20)，这些半导体发射器分别具有有源区域(101、201)和正面耦合输出面(102、202)。有源区域(101、102)设置成产生电磁辐射。此外，光电子器件(1)包括不透射辐射的覆盖层(40)和承载件(50)。半导体发射器(10、20)设置在承载件(50)的第一侧上。第一半导体发射器(10)设置成通过其耦合输出面(102)发射第一波长范围的电磁辐射。第二半导体发射器(20)设置成通过其耦合输出面(202)发射第二波长范围的电磁辐射。第一波长范围和第二波长范围至少部分地彼此不同。覆盖层(40)由光聚合物形成并且设置在承载件(50)的第一侧上。覆盖层(40)具有完全穿过该覆盖层(40)的耦合输出窗口(60)，并且通过该耦合输出窗口，耦合输出面(102、202)分别至少部分没有覆盖层(40)。此外，提出了一种用于制造光电子器件(1)的方法。