电子器件及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层爆光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
电子器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109696A
申请号 ：
CN85109696.4
公开（公告）日 ：
1986-07-16
申请日 ：
1985-12-25
授权号 ：
CN1005944B
授权日 ：
1989-11-29
发明人 ：
间濑晃小沼利光坂间光范犬岛乔山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN85109696.4
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/31 H01L29/86 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
1999-02-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-15 ：
授权
1989-11-29 ：
审定
1986-09-24 ：
实质审查请求
1986-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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