光电子器件和用于制造光电子器件的方法
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摘要
光电子器件和用于制造光电子器件的方法。光电子器件（1，2，3）具有载体（4）、光电子装置（6）和灌封材料（21）。光电子装置（6）包括光电子半导体芯片（7）。光电子装置（6）布置在载体（4）的上侧（5）上面。灌封材料（21）布置在载体（4）的上侧（5）上面，使得光电子装置（6）嵌入在灌封材料（21）中。光电子装置（6）的辐射发射表面（14）不被灌封材料（21）覆盖。灌封材料（21）的表面（22）相对于载体（4）的上侧（5）构造在辐射发射表面（14）上方。
基本信息
专利标题 ：
光电子器件和用于制造光电子器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110197866A
申请号 ：
CN201910145405.7
公开（公告）日 ：
2019-09-03
申请日 ：
2019-02-27
授权号 ：
CN110197866B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
P.纳格尔K.赖因鲁贝尔S.布兰特尔K.瓦格纳R.米勒
申请人 ：
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张涛
优先权 ：
CN201910145405.7
主分类号 ：
H01L33/54
IPC分类号 ：
H01L33/54 H01L33/60 H01L33/50
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-09-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/54
申请日 : 20190227
申请日 : 20190227
2019-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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