光电子器件和制造光电子器件的方法
公开
摘要
一种光电子器件，包括光波导，所述光波导形成在绝缘体上硅晶片的硅器件层中。所述光波导包括半导体结，所述半导体结包括半导体材料的第一掺杂区和半导体材料的第二掺杂区。所述第二掺杂区包含与所述第一掺杂区不同种类的掺杂剂。所述第一掺杂区的第一部分在所述第二掺杂区的顶部上水平地延伸，所述第一掺杂区的第二部分沿着所述第二掺杂区的横向侧竖直地延伸，并且所述第一掺杂区的第三部分作为突出部从所述第一掺杂区的所述第一部分或所述第二部分突出到所述第二掺杂区中。
基本信息
专利标题 ：
光电子器件和制造光电子器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114391122A
申请号 ：
CN202080063642.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余国民
申请人 ：
洛克利光子有限公司
申请人地址 ：
英国柴郡
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李湘
优先权 ：
CN202080063642.X
主分类号 ：
G02F1/225
IPC分类号 ：
G02F1/225 G02F1/025 H01L31/0352
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/21
应用干涉作用的
G02F1/225
在光波导结构中的
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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