光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
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摘要
在一种实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括在透光衬底(3)上的半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有在第一半导体区域(21)和第二半导体区域(23)之间的有源层(22)。电绝缘的镜层(5)设计用于反射在有源层(22)中产生的辐射。镜层(5)至少处于绝缘沟槽(42)中。金属电流连接片(6)安置在接触沟槽(41)中并且设计用于沿着接触沟槽(41)引导电流和用于对第一半导体区域(21)通电。金属汇流排(8)处于电流分配沟槽(43)中，设计用于沿着电流分配沟槽(43)引导电流以及用于对第二半导体区域(23)通电。接触沟槽(41)、绝缘沟槽(42)以及电流分配沟槽(43)穿过有源层(22)延伸直至第一半导体区域(21)中。接触沟槽(41)完全由绝缘沟槽(42)围边并且电流分配沟槽(43)仅处于绝缘沟槽(42)之外。
基本信息
专利标题 ：
光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110114891A
申请号 ：
CN201780078859.6
公开（公告）日 ：
2019-08-09
申请日 ：
2017-12-12
授权号 ：
CN110114891B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
法比安·科普阿提拉·莫尔纳
申请人 ：
欧司朗光电半导体有限公司
申请人地址 ：
德国雷根斯堡
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁永凡
优先权 ：
CN201780078859.6
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/46 H01L33/40
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-09-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20171212
申请日 : 20171212
2019-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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