半导体芯片的制造方法及半导体芯片
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摘要
对半导体晶片的第二表面上进行等离子体蚀刻，所述半导体晶片具有第一表面和第二表面，第一表面上的分割区域布置有绝缘膜，第二表面上布置有限定所述分割区域的掩模，第二表面与第一表面相对设置，通过去除与分割区域对应的部分从蚀刻的底部露出所述绝缘膜。此后，在因等离子体中的离子而用电荷对露出的绝缘膜表面充电的状态中连续地进行等离子体蚀刻，去除器件形成区域中与绝缘膜接触的角部。由此制造具有高抗破碎强度的、单个半导体芯片。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片的制造方法及半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107703A
申请号 ：
CN200680003081.4
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
有田洁
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王玮
优先权 ：
CN200680003081.4
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/68 H01L21/3065
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2009-07-22 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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