用于用晶片制造半导体芯片的方法
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摘要
本发明涉及一种用于用包含多个半导体芯片(2)的晶片(1)制造半导体芯片(2)的方法。当在完成晶片(1)之后在晶片表面产生给定折断部(14)，并且将晶片(1)沿着这些给定折断部(14)来折断，以将半导体芯片(2)分离时，可以显著地减少在芯片(2)的晶体结构中的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
用于用晶片制造半导体芯片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101095222A
申请号 ：
CN200580045426.8
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·施皮茨A·格拉赫F·哈恩
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
曾立
优先权 ：
CN200580045426.8
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L29/866
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2011-12-07 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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