半导体芯片制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种半导体芯片制造方法，所述制作方法包括：形成一个由至少两个晶圆层层叠形成的晶圆组；在所述晶圆组的至少一个表面形成具有切割图案的遮罩层；沿所述切割图案，同步切割所述晶圆组中的至少两个晶圆层。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530414A
申请号 ：
CN202210054875.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李涌伟王先彬
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
高洁
优先权 ：
CN202210054875.4
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/78
申请日 : 20190329
申请日 : 20190329
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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