可分离多层GaN衬底及其制作方法、半导体芯片制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种可分离的多层GaN衬底，至少包括三层结构，其中包括GaN基层，位于该GaN基层上的氮化物牺牲层，位于该氮化物牺牲层上的GaN功能层，其中所述GaN功能层上设有开窗，所述开窗内设有金属电极，所述金属电极欧姆接触在所述氮化物牺牲层上，这样可以有效改善化学腐蚀氮化物牺牲层时GaN基层出现裂纹的情况，并且对器件寿命具有有效延长。本发明可以通过去除氮化物牺牲层，将GaN基层和功能层分离，分离后的GaN基层可以反复利用，极大地降低了GaN器件的制作成本。
基本信息
专利标题 ：
可分离多层GaN衬底及其制作方法、半导体芯片制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113889528A
申请号 ：
CN202111479532.4
公开（公告）日 ：
2022-01-04
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
CN113889528B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
徐琳苏克勇陈吉湖聂恒亮
申请人 ：
苏州纳维科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室
代理机构 ：
杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵杰香
优先权 ：
CN202111479532.4
主分类号 ：
H01L29/20
IPC分类号 ：
H01L29/20 H01L21/02 H01L21/683 C30B25/20 C30B29/40 C30B33/08
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2022-01-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/20
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
