硅衬底平面LED集成芯片
避免重复授权放弃专利权
摘要
本实用新型公开了一种成本低、工艺简便、散热效果好、可实现多种连接方式的硅衬底平面LED集成芯片。本实用新型包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，硅衬底(2)顶面于每个LED裸芯片(1)处有两个分离的沉积金属层(3)，LED裸芯片(1)正装或倒装焊接在金属层(3)上，硅衬底(2)于每个LED裸芯片(1)处有阱区(7)，各金属层(3)与硅衬底(2)的结合区分别还有掺杂的隔离层(5)，隔离层(5)位于阱区(7)内，各LED裸芯片(1)对应的金属层(3)之间设有阻挡层(6)。本实用新型可广泛应用于LED集成领域。
基本信息
专利标题 ：
硅衬底平面LED集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720048213.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-02-02
授权号 ：
CN201022077Y
授权日 ：
2008-02-13
发明人 ：
吴纬国
申请人 ：
广州南科集成电子有限公司
申请人地址 ：
510663广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路
代理机构 ：
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 ：
李彦孚
优先权 ：
CN200720048213.7
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/075 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2010-12-01 ：
避免重复授权放弃专利权
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101047190385
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2007200482137
申请日 : 20070202
授权公告日 : 20080213
放弃生效日 : 20070202
号牌文件序号 : 101047190385
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2007200482137
申请日 : 20070202
授权公告日 : 20080213
放弃生效日 : 20070202
2008-02-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN201022077Y.PDF
PDF下载
