一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片，包括以下步骤：玻璃正面涂抗HF的腐蚀的胶膜；玻璃衬底经背面研磨减薄；通过化学机械抛光；玻璃衬底背面经一定比例的HF酸和氨水的混合溶液做同性刻蚀，形成碗状的凹槽；再用离子束蚀刻垂直导通形成深槽，刻穿玻璃衬底；蒸镀TiN/Cu种子层；通过带胶电镀形成细长的凸起；再次通过回流焊接工艺，形成球状；通过划片道切割；将单个单元的裸片与PCB高温焊接贴合。其优点在于：基于硅衬底的TSV原理对玻璃衬底3背面开孔的技术，其3D/TGV的原理是在玻璃芯片的背面做铜走线的连接以及芯片与PCB板的焊接；从而实现器件堆叠减少集成芯片尺寸以及体积，缩短铜走线，降低功耗，提高电气性能。
基本信息
专利标题 ：
一种基于玻璃衬底的芯片封装工艺及多器件集成玻璃芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496914A
申请号 ：
CN202210091822.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡孝伟代文亮张竞颢袁琳
申请人 ：
上海芯波电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区纳贤路60弄5号4层01室
代理机构 ：
上海乐泓专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王瑞
优先权 ：
CN202210091822.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/60 H01L25/065 H01L25/18 H05K1/18 H05K3/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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