微米级芯片尺寸封装散热结构
授权
摘要
本发明涉及一种微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面植上金属层(4)；于硅基材背面金属层(4)上制作金属凸块(5)。本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。
基本信息
专利标题 ：
微米级芯片尺寸封装散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794445A
申请号 ：
CN200510095349.9
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王新潮赖志明
申请人 ：
江阴长电先进封装有限公司
申请人地址 ：
214431江苏省江阴市滨江中路275号
代理机构 ：
江阴市同盛专利事务所
代理人 ：
唐纫兰
优先权 ：
CN200510095349.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2008-07-16 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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