封装散热盖及芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种封装散热盖及芯片封装结构，涉及芯片封装结构的技术领域，包括散热盖体和第一界面导热介质；由于散热盖体的底部设置有凹陷部，第一界面导热介质的顶面和侧面均与凹陷部抵接，且第一界面导热介质支撑在芯片上，芯片的封装结构简单。此外，通过控制芯片和散热盖体之间预留间隙的大小，能够将液态的第一界面导热介质封装在芯片和凹陷部之间，避免了导热介质从芯片和凹陷部之间流出，有效地解决导热介质呈液态时的溢出问题，减少了由于导热介质流出产生的界面空洞，保证了芯片的最佳散热效果。
基本信息
专利标题 ：
封装散热盖及芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021050347.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
CN212648227U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
华菲金英镇
申请人 ：
宁波施捷电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区新碶明州西路491号1幢1号－63－1
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王雪莎
优先权 ：
CN202021050347.4
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212648227U.PDF
PDF下载
