新型微米级芯片尺寸封装散热结构

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明涉及一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于：于芯片本体(1)硅基材背面制作凹坑(4)，形成阵列或非阵列；于凹坑(4)表面及凹坑外的芯片本体硅基材背面植上金属层(5)。本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。

基本信息

专利标题：

新型微米级芯片尺寸封装散热结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1794446A

申请号：

CN200510095350.1

公开（公告）日：

2006-06-28

申请日：

2005-11-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王新潮赖志明

申请人：

江阴长电先进封装有限公司

申请人地址：

214431江苏省江阴市滨江中路275号

代理机构：

江阴市同盛专利事务所

代理人：

唐纫兰

优先权：

CN200510095350.1

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367