用于制造晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的方法

实质审查的生效

摘要

本公开涉及用于制造晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的方法。从生产晶圆的顶表面向下延伸穿过划线区域到达仅部分穿过半导体衬底的深度，开放沟槽。在执行凸块化工艺之前，将第一柄状件附接到生产晶圆的顶表面。然后，减薄半导体衬底的背表面，以到达沟槽并在由沟槽界定的每个集成电路位置处形成晶圆级芯片尺寸封装。然后，将第二柄状件附接到减薄的半导体衬底的底表面，并且移除第一柄状件以在顶表面处暴露凸块下金属化焊盘。然后，执行凸块化工艺，以在每个暴露的凸块下金属化焊盘处形成焊球。

基本信息

专利标题：

用于制造晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114388367A

申请号：

CN202111222506.3

公开（公告）日：

2022-04-22

申请日：

2021-10-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

邓俊宜D·加尼

申请人：

意法半导体有限公司

申请人地址：

新加坡城

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

张昊

优先权：

CN202111222506.3

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/60

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-05-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211020

2022-04-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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