晶圆级芯片封装结构

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摘要

本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，包括：封装晶圆；导电柱与所述封装晶圆电连接；凹槽结构贯穿所述封装晶圆以将封装晶圆分成若干个封装芯片；封装层延伸至凹槽结构中且包围导电柱并显露导电柱的顶部；引出焊垫与导电柱电连接。本实用新型采用基于凹槽结构切割晶圆的晶圆级封装方法，在扇出型晶圆级封装中，有利于保护芯片，防止晶圆破裂，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，采用表贴层还实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性，采用基于平坦化辅助层及金属连接层制备的引出焊垫进行待封装芯片的电性引出，可以提高引出的电学性能及连接稳定性，提高封装结构的整体性能。

基本信息

专利标题：

晶圆级芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921658414.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-30

授权号：

CN210467804U

授权日：

2020-05-05

发明人：

徐罕陈彦亨吴政达林正忠薛亚媛

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

佟婷婷

优先权：

CN201921658414.8

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/488 H01L21/78