本发明公开了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，方法包括：提供器件晶圆，器件晶圆上表面形成有电子器件以及与电子器件电连接的电连接结构；在器件晶圆的上表面形成支撑层，支撑层覆盖电子器件以及电连接结构；在支撑层中形成暴露电子器件的开口，并在电子器件的周围形成支撑墙，支撑墙包裹电连接结构并形成有暴露电连接结构的第一通孔；提供衬底，在衬底的上表面形成顶盖层，形成顶盖层的材料包括介电材料形成的介质层，且介电材料的杨氏模量大于硅的杨氏模量；将顶盖层与支撑墙键合，使电子器件与顶盖层之间形成空腔；去除衬底。本发明能够有效提高形成空腔结构的顶盖层的抗变形能力并降低厚度，同时工艺简单，有效降低成本。