超宽带晶圆级封装匹配结构
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种超宽带晶圆级封装匹配结构，包括：芯片晶圆级封装部分和PCB部分，芯片晶圆级封装部分包括：封装衬底、芯片、第一钝化层、RDL、第二钝化层、UBM和焊球。芯片包括：功能面、底面和芯片焊盘；芯片的底面镶嵌在封装衬底中，且芯片的功能面外露；第一钝化层包括：第一钝化层金属通孔；第一钝化层设置在芯片的功能面外侧，且第一钝化层金属通孔中心与芯片焊盘中心对齐；RDL包括：RDL信号线和RDL金属接地；RDL设置在第一钝化层外侧；UBM包括：信号UBM和接地UBM；UBM设置在第二钝化层中；第二钝化层设置在RDL外侧；芯片通过焊球和PCB部分垂直互连；其中，RDL信号线设置有匹配节，用于调节第一钝化层金属化通孔和信号UBM之间的阻抗失配。
基本信息
专利标题 ：
超宽带晶圆级封装匹配结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496986A
申请号 ：
CN202210123804.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王璞刘强郭齐
申请人 ：
成都天成电科科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市成都高新区肖家河环三巷2号
代理机构 ：
北京细软智谷知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
付登云
优先权 ：
CN202210123804.5
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H05K1/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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