晶圆级封装结构

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摘要

本实用新型提供一种晶圆级封装结构，晶圆级封装结构包括具有TSV的晶圆、第一重新布线层、第二重新布线层、键合焊盘、芯片、保护层及封装层。其中，通过具有TSV的晶圆以及位于晶圆相对两面的第一重新布线层及第二重新布线层，可形成三维方向堆叠密度大、外形尺寸小的晶圆级封装结构，且可降低单一RDL的制造难度，以降低工艺复杂度及生产成本；通过TSV进行互连，可使得具有TSV的晶圆上下面良好导通，从而可大大提高芯片的速度并降低功耗，以形成具有较好的电热性能和高效率传输性能的晶圆级封装结构。

基本信息

专利标题：

晶圆级封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021325364.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-08

授权号：

CN212084995U

授权日：

2020-12-04

发明人：

黄晗林正忠吴政达陈彦亨

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

余明伟

优先权：

CN202021325364.4

主分类号：

H01L23/538

IPC分类号：

H01L23/538 H01L21/768