晶圆级系统封装方法及封装结构
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摘要

一种晶圆级系统封装方法及封装结构,封装方法包括:提供器件晶圆,包括器件区以及环绕器件区的切割道区,器件区的器件晶圆中集成有第一芯片,器件区的器件晶圆正面粘贴有第二芯片;刻蚀切割道区的正面,在器件晶圆内形成沟槽,沟槽至少延伸至第一芯片背向正面的表面;在器件晶圆的正面形成覆盖第二芯片的封装层,封装层还填充于沟槽内。本发明在形成封装层之前,在切割道区的器件晶圆内形成沟槽,因此封装层还位于沟槽内,从而减小后续切割工艺对器件晶圆造成的损伤,降低器件晶圆发生开裂的概率,相应降低第一芯片发生脱落的概率,而且沟槽中的封装层还对第一芯片起到保护作用,降低第一芯片受潮或被氧化的概率,从而提高封装体的性能。

基本信息
专利标题 :
晶圆级系统封装方法及封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108597998A
申请号 :
CN201810415667.6
公开(公告)日 :
2018-09-28
申请日 :
2018-05-03
授权号 :
CN108597998B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
刘孟彬罗海龙
申请人 :
中芯集成电路(宁波)有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
代理机构 :
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
高静
优先权 :
CN201810415667.6
主分类号 :
H01L21/304
IPC分类号 :
H01L21/304  H01L21/56  H01L21/78  H01L23/31  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理,例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-08 :
授权
2018-10-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20180503
2018-09-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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