晶圆级封装结构及其封装方法
实质审查的生效
摘要
一种晶圆级封装方法及结构，其中方法包括：衬底；位于所述衬底上的钝化层；位于部分所述钝化层上的种子层和位于所述种子层上的导线层，所述种子层侧壁相对所述导线层侧壁底部凹陷；位于所述导线层表面和所述种子层侧壁的保护层；位于所述钝化层表面的阻焊层，所述阻焊层还位于所述保护层表面。避免了所述保护层端部被夹在钝化层和阻焊层之间的情况，减少了因所述保护层被拉扯变形而产生金属析出的情况，进而提高了器件性能的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
晶圆级封装结构及其封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373722A
申请号 ：
CN202210018397.1
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐嘉良
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202210018397.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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