晶圆结构、中间结构、晶圆级封装结构及芯片级封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种晶圆结构，包括晶圆本体，还包括：在晶圆本体的无源面上制作得到的多个凸起，相邻凸起之间的凹槽；凹槽用于填充塑封层。还提供一种中间结构、晶圆级封装结构及芯片级封装结构。基于在晶圆本体的无源面上制作得到的凸起，使得后续塑封层可以填充到相邻凸起之间的凹槽中，但由于凸起的存在，无法填充到凸起所占用的区域，因此增加了晶圆本体与塑封层之间的体积比，降低晶圆本体与塑封层之间因CTE失配而导致的热载荷应力，从而降低了晶圆本体的翘曲程度，同时也降低了芯片与封装基板之间的焊接失效概率；此外，通过凹槽，还提高了塑封层的接触面积，从而提高了整体结构的抗弯刚度，有助于降低封装体的翘曲程度。
基本信息
专利标题 ：
晶圆结构、中间结构、晶圆级封装结构及芯片级封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123387677.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216413091U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
吴红儒李宗怿何佳奕方晶丁晓春曾丹
申请人 ：
长电集成电路（绍兴）有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市临江路500号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓锋
优先权 ：
CN202123387677.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L23/31
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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