晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备
实质审查的生效
摘要

本申请提供了一种晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备,涉及半导体领域。晶圆级芯片封装方法包括在基材正面铺设贴片膜,在贴片膜上贴装晶粒,利用塑封材料对晶粒进行晶圆级塑封,并制作电连接于晶粒的锡球,然后从基材的背面去除部分基材的材料,以减薄基材的厚度。在本申请实施例中,最终并不移出基材,而是保留部分基材。减薄后基材的厚度可以根据整体封装结构的尺寸来决定。由于保留了部分基材,基材具有一定结构强度,能够起到较佳的支撑作用,来抵抗塑封体中的应力,避免变形。这样制作出来的整个晶圆级芯片封装结构不容易存在翘曲变形,因此有利于后续的制程。

基本信息
专利标题 :
晶圆级芯片封装方法、晶圆级芯片封装结构和电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496820A
申请号 :
CN202210068250.3
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孔德荣张聪王森民
申请人 :
甬矽半导体(宁波)有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
刘曾
优先权 :
CN202210068250.3
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56  H01L21/48  H01L23/31  H01L23/498  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20220120
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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