晶圆级芯片封装结构

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摘要

本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，包括：待封装芯片，具有第一表面及第二表面；导电柱，形成于第二表面；封装层，形成于第二表面并延伸至待封装芯片的侧部；重新布线层，形成于封装层上与导电柱电连接；引出焊垫，至少包括自下而上依次叠置的平坦化辅助层及金属连接层。本实用新型采用基于平坦化辅助层及金属连接层制备的引出焊垫进行待封装芯片的电性引出，可以提高引出的电学性能以及连接稳定性，提高封装结构的整体性能，采用先进行贴片，再进行重新布线层制备的方式，在扇出型晶圆级封装中，有利于缩短制程，减小作业周期，提升产品产率，有利于产品成本的降低，实现了对晶圆级芯片进行有效的六面封装，更好的包装芯片，提高产品的可靠性。

基本信息

专利标题：

晶圆级芯片封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921658278.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-30

授权号：

CN210467768U

授权日：

2020-05-05

发明人：

徐罕陈彦亨吴政达林正忠薛亚媛

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

佟婷婷

优先权：

CN201921658278.2

主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L21/60 H01L23/485