扇出型晶圆级封装结构

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摘要

本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，该结构包括：两片以上具有焊垫的半导体芯片，半导体芯片排布为扇出型晶圆阵列，每个半导体芯片具有各自的初始位置；塑封层，覆盖半导体芯片表面及各半导体芯片之间，每个半导体芯片具有塑封后各自的偏移位置，偏移位置相对于初始位置具有偏移距离；重新布线层，形成于半导体芯片上，以实现各半导体芯片之间的互连，重新布线层至少包括一层第一重新布线层，第一重新布线层形成于半导体芯片的表面上，且与半导体芯片的焊垫对齐连接；金属凸块，形成于重新布线层上。该扇出型晶圆级封装结构可实现半导体芯片与重新布线层的有效对准，提高晶圆片封装的成品率。

基本信息

专利标题：

扇出型晶圆级封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021943526.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-08

授权号：

CN212542410U

授权日：

2021-02-12

发明人：

赵海霖

申请人：

中芯长电半导体（江阴）有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市江阴市长山大道78号

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

贺妮妮

优先权：

CN202021943526.0

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L23/488 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60 G03F7/20