晶圆级封装方法
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摘要
一种晶圆级封装方法，包括：提供集成有第一芯片的器件晶圆，所述器件晶圆包括集成有所述第一芯片的第一正面以及与所述第一正面相背的第一背面；提供承载基板，在所述承载基板上临时键合待集成的第二芯片，所述第二芯片具有背向所述承载基板的待键合面，相邻所述第二芯片与所述承载基板之间围成塑封区；进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对所述塑封料进行固化处理，形成位于所述塑封区的塑封层，所述塑封层覆盖所述承载基板和所述第二芯片的侧壁；形成所述塑封层后，使所述键合面和所述第一正面相对设置，采用低温熔融键合工艺实现所述器件晶圆和第二芯片的键合。本发明提高了封装成品率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆级封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111370328A
申请号 ：
CN201811604437.0
公开（公告）日 ：
2020-07-03
申请日 ：
2018-12-26
授权号 ：
CN111370328B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
秦晓珊
申请人 ：
中芯集成电路（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN201811604437.0
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20181226
申请日 : 20181226
2020-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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