晶圆级扇出封装结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明的实施例提供了一种晶圆级扇出封装结构及其制备方法,涉及芯片封装技术领域,该方法可以同时制备功能芯片和基底晶圆,在制备好功能芯片和基底晶圆后,将功能芯片倒装贴设在芯片贴装区,然后在基底晶圆上设置塑封体,然后在塑封体上完成布线,以形成晶圆布线层,最后在晶圆布线层上植球后切割。相较于现有技术,本发明能够同时进行基底晶圆和功能芯片的制作,并直接将功能芯片贴设在基底晶圆上完成芯片制作,相较于常规的依次形成层级结构,本发明能够大幅降低工艺难度,并且能实现功能芯片全面性包封使之提高封装可靠性,具有整体封装时间短及成本低等优势,缩短了工艺流程时间,有效改善晶圆级扇出封装的流片时间。

基本信息
专利标题 :
晶圆级扇出封装结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114429912A
申请号 :
CN202210067105.3
公开(公告)日 :
2022-05-03
申请日 :
2022-01-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
钟磊李利张超何正鸿
申请人 :
甬矽半导体(宁波)有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
戴尧罡
优先权 :
CN202210067105.3
主分类号 :
H01L21/56
IPC分类号 :
H01L21/56  H01L21/48  H01L23/31  H01L23/498  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装,例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20220120
2022-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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