封装结构及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种封装结构及制备方法，所述封装结构包括：下部封装体，设置于所述下部封装体上方的上部封装体，以及设置于所述下部封装体和所述上部封装体之间的第一重布线堆叠层，所述第一重布线堆叠层电性连接所述下部封装体和上部封装体；所述下部封装体包括第一预制重布线堆叠层和围绕所述第一预制重布线堆叠层周边的第一塑封层；其中，所述第一预制重布线堆叠层中至少一层第一预制导电层的最小线宽线距小于所述第一重布线堆叠层中至少一层第一导电层的最小线宽线距。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284260A
申请号 ：
CN202111496220.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林耀剑徐晨刘硕杨丹凤周莎莎陈雪晴何晨烨
申请人 ：
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
常伟
优先权 ：
CN202111496220.4
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L21/56 H01L23/00 H01L23/31 H01L25/065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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