封装结构及其制备方法
授权
摘要
本申请公开了一种封装结构及其制备方法。该制备方法包括：提供一基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的第一表面设置围坝，所述围坝包括内层坝体和外层坝体，所述内层坝体套设在所述外层坝体内，所述内层坝体为塑胶材质，所述内层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面；提供一金属件，所述金属件设置在所述内层坝体上并覆盖所述内层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。上述制备方法得到的封装结构可以根据封装需要，灵活设置金属件的位置，克服现有围坝存在的缺陷，满足封装需要。
基本信息
专利标题 ：
封装结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112967935A
申请号 ：
CN202110177852.8
公开（公告）日 ：
2021-06-15
申请日 ：
2021-02-09
授权号 ：
CN112967935B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
章军
申请人 ：
池州昀冢电子科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省池州市皖江江南新兴产业集中区乐山路以西汉江路以北地块
代理机构 ：
苏州领跃知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宁
优先权 ：
CN202110177852.8
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/52 H01L23/06 H01L23/08 H01L23/04 H01L23/055 H01L23/10
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20210209
申请日 : 20210209
2021-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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