封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法
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摘要
本公开实施例公开了一种封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法，所述封装体的制备方法包括：提供基板；其中，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述基板的所述第一表面形成开孔；其中，所述开孔的底部位于所述基板中；将所述基板形成有所述开孔的所述第一表面与承载体键合；其中，所述承载体覆盖所述开孔；在所述第一表面与所述承载体键合之后，在所述基板的所述第二表面形成凹槽；其中，在垂直于所述基板的方向上，所述凹槽与所述开孔连通；将所述基板形成有所述凹槽的所述第二表面固定于承载层上；在所述第二表面与所述承载层固定之后，去除所述承载体；在去除所述承载体后，去除所述承载层。
基本信息
专利标题 ：
封装壳体的制备方法及封装芯片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388366A
申请号 ：
CN202210283093.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-03-22
授权号 ：
CN114388366B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
王逸群汪松孙远刘天建
申请人 ：
湖北江城芯片中试服务有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路18号2幢OS6号（自贸区武汉片区）
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张雪
优先权 ：
CN202210283093.8
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20220322
申请日 : 20220322
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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