DAF膜及其制备方法、芯片封装结构
授权
摘要
本申请公开了一种DAF膜及其制备方法、芯片封装结构，所述DAF膜包括第一胶面、第二胶面和中间高导热层，中间高导热层中设置有支撑体，用于防止芯片发生倾斜。本申请通过在DAF膜中添加支撑体，支撑体提供了有效地支撑，保证芯片在受力挤压DAF膜时，避免了由于受力不均匀而导致芯片倾斜。本发明的DAF膜通过支撑体的加入，实现了装片时，芯片始终保持水平，且不改变本身的黏著性，可用于高速晶圆贴覆处理，提高了芯片封装质量和效率。
基本信息
专利标题 ：
DAF膜及其制备方法、芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111592832A
申请号 ：
CN202010479248.6
公开（公告）日 ：
2020-08-28
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN111592832B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
任济平
申请人 ：
南通通富微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园区江达路99号
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭栋梁
优先权 ：
CN202010479248.6
主分类号 ：
C09J7/22
IPC分类号 ：
C09J7/22 H01L21/683
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09J
黏合剂；一般非机械方面的黏合方法；其他类目不包括的黏合方法；黏合剂材料的应用
C09J7/00
薄膜或薄片状的粘合剂
C09J7/20
以它们的载体为特征
C09J7/22
塑料，镀金属塑料
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-09-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09J 7/22
申请日 : 20200529
申请日 : 20200529
2020-08-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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