一种芯片焊点结构及其制备方法、封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种芯片焊点结构及其制备方法、封装结构，涉及电子元件技术领域，本发明的芯片焊点结构的制备方法，包括：提供基底，基底包括硅基板以及在硅基板上表面形成的焊盘；在焊盘上形成焊点预制体，焊点预制体具有柱状结构；在焊盘和焊点预制体上电镀形成凸台焊点，凸台焊点包括柱状结构的第一焊台和第二焊台，第一焊台与第二焊台沿柱状结构的延伸方向层叠设置，第一焊台的截面积小于第二的截面积。本发明提供的芯片焊点结构及其制备方法、封装结构，能够防止封装时两个焊点之间短接，从而提高芯片的封装良率。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片焊点结构及其制备方法、封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373690A
申请号 ：
CN202210023455.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙轶
申请人 ：
颀中科技(苏州)有限公司;合肥颀中科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区凤里街166号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202210023455.X
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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