LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的多量子阱；以及位于所述多量子阱上的P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括P型过渡层、P型窗口层以及位于二者之间的中间层，所述中间层的晶格常数与所述P型窗口层和所述P型过渡层的晶格常数相匹配。本发明提供的LED外延结构及LED芯片，在P型过渡层与P型窗口层之间引入中间层，中间层为多层渐变式结构，实现P型过渡层与P型窗口层之间的晶格常数逐渐改变，以减少突变式结构生长过程中的缺陷，改善晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497298A
申请号 ：
CN202111581006.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
薛龙李森林杨美佳毕京锋
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
甄丹凤
优先权 ：
CN202111581006.9
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/30 H01L33/00 H01L33/36
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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