LED外延的制备方法及LED外延结构与LED芯片
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摘要
本发明公开LED外延的制备方法及LED外延结构与LED芯片。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长第一半导体层；在所述第一半导体层上生长多量子阱发光层，所述多量子阱发光层包括交替层叠设置的InGaN势阱层和GaN势垒层，所述InGaN势阱层的厚度为1.5～3nm；在所述多量子阱发光层上生长第二半导体层。本发明通过减薄InGaN势阱层的厚度，使得可以在更低的生长温度下实现InGaN势阱层中In组分的增加。本发明采用超薄InGaN势阱层，可以减小因InGaN势阱层和GaN势垒层晶格失配导致的应力，极化得到改善，有效增加了电子和空穴波函数的交叠区域，最终得到了长波段下高内量子效率的GaN基LED。
基本信息
专利标题 ：
LED外延的制备方法及LED外延结构与LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451455A
申请号 ：
CN202011351538.9
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-11-26
授权号 ：
CN113451455B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
翟小林杨顺贵张青洲黎力张海林
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘芙蓉
优先权 ：
CN202011351538.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/32 B82Y40/00
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法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20201126
申请日 : 20201126
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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