LED外延结构及LED芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种LED外延结构及LED芯片，LED外延结构包括衬底和设于其上的缓冲层和半导体层，衬底表面设有多个凸起的微结构；缓冲层包括覆于微结构之上的第一缓冲层，第一缓冲层于微结构的顶端形成第一通孔，并且于微结构的侧壁形成第二通孔；半导体层内形成有沿第一通孔向上延伸的镂空结构，所述镂空结构内介质为空气。通过基于通孔结构形成的位于微结构顶端的空气柱型镂空结构，增加了界面处的折射率差值，有效增强了光线在界面处的反射作用，提高了LED器件的光提取效率；并且，由于镂空结构为细长且向上延伸的圆柱结构，其对所述半导体层内的结构影响较小。
基本信息
专利标题 ：
LED外延结构及LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021993855.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212277217U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈晓敏
优先权 ：
CN202021993855.6
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
