一种垂直LED芯片外延结构和垂直LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种垂直LED芯片外延结构，其包括：第一衬底；设于所述第一衬底上的剥离缓冲层；设于所述剥离缓冲层上的接触扩散层；设于所述接触扩散层上的高温U‑GaN层；和设于所述高温U‑GaN层上的外延层；所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中，所述剥离缓冲层由InN或InGaN制成，所述接触扩散层由N‑GaN制成；所述高温U‑GaN层的电阻率为10‑2～10‑3Ω·cm2，所述N‑GaN层的电阻率为10‑5～10‑8Ω·cm2。本实用新型通过新型的剥离缓冲层，提升了可剥离性；同时通过接触扩散层使得电流分布更加均匀，提升了亮度，降低了电压。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直LED芯片外延结构和垂直LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921075921.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-09
授权号 ：
CN210110828U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201921075921.9
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/32 H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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