外延结构及应用其的半导体芯片
授权
摘要
本实用新型公开一种外延结构及应用其的半导体芯片，该外延结构包括依次层叠设置的量子阱结构、P型接触层以及电极层；P型接触层包括呈台阶状设置的第一台阶部与第二台阶部，第二台阶部相对第一台阶部更靠近量子阱结构；第一台阶部与第二台阶部填充有第一绝缘部。通过上述方式，可以有效提高半导体芯片的抗灾变性光学镜面损伤值。
基本信息
专利标题 ：
外延结构及应用其的半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021705512.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN213212654U
授权日 ：
2021-05-14
发明人 ：
郑兆祯丁新琪涂庆明
申请人 ：
深圳市中光工业技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区学府路63号高新区联合总部大厦23楼、24楼
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
袁江龙
优先权 ：
CN202021705512.5
主分类号 ：
H01S5/042
IPC分类号 ：
H01S5/042
法律状态
2021-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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