一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫...
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摘要
本发明涉及紫外探测器技术领域，尤其涉及一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片。本发明通过交替生长的超晶格层的设置实现了对半导体缓冲层的位错线的有效阻挡，极大的降低了整个缓冲层的位错密度，解决了由于位错密度偏大导致器件暗电流大的问题；在P型传输层和P型接触层之间引入应变超晶格层，此层的引入能够使结构产生应变，能带发生弯曲，电子空穴隧穿迁移效果明显提升，提高了量子效率，提高了紫外响应度；应变超晶格层的引入能够有效阻止底层材料位错线的延伸，如此能够极大的降低器件的暗电流，从而提升紫外日盲探测器的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体紫外探测器芯片的外延结构及其制备方法、半导体紫外探测器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113964224A
申请号 ：
CN202111575135.7
公开（公告）日 ：
2022-01-21
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
CN113964224B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
黄小辉倪逸舟
申请人 ：
至芯半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
霍苗
优先权 ：
CN202111575135.7
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/105 H01L31/18 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2022-02-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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