本申请涉及一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件，所述方法包括衬底以及外延多层结构，所述外延多层结构包括成核层，所述成核层形成于所述衬底上；其中，所述成核层内掺杂有铁和硅。本申请通过在外延多层结构中设置成核层，利用形成于衬底上的成核层来有效缓解外延层与基底之间的热失配和晶格失配，从而避免在外延生长过程中因热失配和晶格失配导致外延片发生形变，使得外延层均匀性提高，改善外延层晶体质量，提高外延产品良率的同时降低产品的成本；并通过在成核层内控制硅和铁的适量掺杂，有效地减小了器件的电流崩塌，增加器件的性能及可靠性。