外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法，其中的外延层的制备剥离方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在衬底上依次采用第一生长工艺和第二生长工艺生长牺牲层；牺牲层包括第一生长工艺下生长的孔洞部和第二生长工艺下生长的平整部；在平整部上生长外延层；使用刻蚀液刻蚀牺牲层，将外延层从衬底上剥离；刻蚀液可进入孔洞部内的孔洞中进行刻蚀。通过执行本发明中的方法，在采用刻蚀液(湿法刻蚀)进行外延层剥离解决激光剥离影响外延层和衬底质量的问题的同时，保证该方法中的外延层剥离效率。
基本信息
专利标题 ：
外延层的制备剥离方法及半导体器件制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497293A
申请号 ：
CN202111643318.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
常娟雄黄永汪琼陈财刘晓磊邵语嫣程晨言王宇轩李梹激许琦辉王霄杨旭豪
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园7号楼
代理机构 ：
上海驷合知识产权代理有限公司
代理人 ：
于秀
优先权 ：
CN202111643318.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/335 H01L21/683
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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