半导体器件的制备方法以及半导体器件
授权
摘要
本公开提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，该制备方法在对牺牲层进行图案化处理，同时形成了沿第一方向的两个间隔设置的第一边界图案单元，以及位于所述第一边界图案单元之间且沿第二方向的若干间隔设置的分隔图案单元。实现了在形成内部精细图案的工艺中同时形成边界图案，使得内部精细图案区域和外围电路区域之间的边界的制备工艺的可用区域增加，制备工艺难度降低，且简化了工艺流程，降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112466817A
申请号 ：
CN202011332020.0
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
CN112466817B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
王嘉鸿童宇诚陶丹丹
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202011332020.0
主分类号 ：
H01L21/8229
IPC分类号 ：
H01L21/8229 H01L21/8239 H01L27/102 H01L27/105
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8222
双极工艺
H01L21/8229
存储器结构
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8229
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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