半导体器件及其制备方法
授权
摘要
一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区之外的无源区；在有源区上制作源极、栅极和漏极，在无源区上制作栅极焊盘和漏极焊盘；将栅极和栅极焊盘进行金属互连，将漏极和漏极焊盘进行金属互连，以形成第一器件结构；在第一器件结构的源极上形成源极测试焊盘。该半导体器件通过上述的制备方法制备得到。该制备方法能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113436982A
申请号 ：
CN202110724992.2
公开（公告）日 ：
2021-09-24
申请日 ：
2021-06-29
授权号 ：
CN113436982B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
杨天应刘丽娟
申请人 ：
深圳市时代速信科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室（入驻前海商务秘书有限公司）
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202110724992.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/482 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20210629
申请日 : 20210629
2021-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
