半导体器件的制备方法及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该半导体器件的制备方法包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃‑1050℃；通过漂酸的方式对部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除；在高温炉内进行再扩散，再扩散温度为800℃‑900℃，在第一氧化层背离衬底的一侧形成牺牲层；通过漂酸的方式对牺牲层、部分第一氧化层以及第一氧化层表面残留的有机物进行去除。本申请通过在低温条件下生长出比较疏松的牺牲层并去除牺牲层及部分第一氧化层，使得生产的半导体器件具有较小的漏电特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334632A
申请号 ：
CN202111652858.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史仁先王国峰
申请人 ：
北海惠科半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室
代理机构 ：
北京华夏泰和知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘敏
优先权 ：
CN202111652858.2
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 H01L21/311 H01L21/329 H01L29/872
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/225
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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